Производитель Номер продукта:
SIJ482DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIJ482DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12919240
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIJ482DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2425 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 69.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIJ482
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIJ482DP-T1-GE3DKR
SIJ482DP-T1-GE3DKRINACTIVE
SIJ482DP-T1-GE3TR
SIJ482DP-T1-GE3DKR-DG
SIJ482DP-T1-GE3CT
SIJ482DPT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RS6N120BHTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1763
Номер части
RS6N120BHTB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.14
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMPB43XPE,115
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
SI7636DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
SI1469DH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
