Производитель Номер продукта:
SIJ494DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIJ494DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 150 V 36.8A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12787520
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIJ494DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
ThunderFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
36.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
23.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1070 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
69.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIJ494
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIJ494DP-T1-GE3TR
SIJ494DP-T1-GE3CT
SIJ494DP-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RS6R060BHTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4875
Номер части
RS6R060BHTB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.40
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHG180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
SQM100N10-10_GE3
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
SIHA21N60EF-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
