SIR164ADP-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIR164ADP-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIR164ADP-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 35.9A (Ta), 40A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

5830 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920777
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIR164ADP-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35.9A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3595 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR164

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR164ADP-T1-GE3-DG
742-SIR164ADP-T1-GE3CT
742-SIR164ADP-T1-GE3DKR
742-SIR164ADP-T1-GE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SISS40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK

onsemi

2SJ661-1EX

MOSFET P-CH I2PAK

vishay-siliconix

SIHP22N60AE-GE3

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

vishay-siliconix

SQ2360EES-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236