SIR640ADP-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIR640ADP-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIR640ADP-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 41.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

12786923
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIR640ADP-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
41.6A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4240 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR640

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR640ADP-T1-GE3TR
SIR640ADP-T1-GE3CT
SIR640ADP-T1-GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
RS3L045GNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1173
Номер части
RS3L045GNGZETB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3G100GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
112698
Номер части
RQ3G100GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.14
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
BSC022N04LSATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
18064
Номер части
BSC022N04LSATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.52
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1G150MNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
RS1G150MNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.32
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RQ3E180GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4770
Номер части
RQ3E180GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.21
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SUP60N06-12P-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

vishay-siliconix

SUP90P06-09L-E3

MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB

vishay-siliconix

SUM90N08-4M8P-E3

MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK

vishay-siliconix

SQD40030E_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA