Производитель Номер продукта:
SIRA10BDP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRA10BDP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12919005
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRA10BDP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Ta), 60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1710 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 43W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRA10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIRA10BDP-T1-GE3CT
SIRA10BDP-T1-GE3TR
SIRA10BDP-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI5415AEDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
SI5480DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SIE820DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
