Производитель Номер продукта:
SIRS700DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIRS700DP-T1-GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Подробное описание:
N-Channel 100 V 30A (Ta), 127A (Tc) 7.4W (Ta),132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
4359 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12974811
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIRS700DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Ta), 127A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5950 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
7.4W (Ta),132W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIRS700DP-T1-GE3TR
742-SIRS700DP-T1-GE3DKR
742-SIRS700DP-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G1003A
N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
TSM500N15CS RLG
150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
G1003A
MOSFET N-CH ESD 100V 1.7A SOT-23
