Производитель Номер продукта:
SIS778DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIS778DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
12787670
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIS778DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
42.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1390 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Body)
Рассеиваемая мощность (макс.)
52W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SIS778
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
SIHG80N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
SQJQ100EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
