Производитель Номер продукта:
SISA14BDN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISA14BDN-T1-GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Подробное описание:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 72A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
14020 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12975447
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISA14BDN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta), 72A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.38mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
917 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SISA14BDN-T1-GE3DKR
742-SISA14BDN-T1-GE3CT
742-SISA14BDN-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RJ1L12BGNTLL
NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
MSC080SMA120SA
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
PMPB45EPAX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN
