Производитель Номер продукта:
SISH112DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISH112DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 11.3A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Инвентаризация:
5870 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12785972
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISH112DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2610 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8SH
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8SH
Базовый номер продукта
SISH112
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SISH112DN-T1-GE3-DG
742-SISH112DN-T1-GE3TR
SISH112DN-T1-GE3CT
SISH112DN-T1-GE3DKR-DG
SISH112DN-T1-GE3TR
742-SISH112DN-T1-GE3CT
742-SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3CT-DG
SISH112DN-T1-GE3DKR
SISH112DN-T1-GE3TR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SISS61DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
SIS468DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
SIHA180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO220
