Производитель Номер продукта:
SISS10ADN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISS10ADN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 31.7A (Ta), 109A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Инвентаризация:
28765 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918050
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISS10ADN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
31.7A (Ta), 109A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3030 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8S
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8S
Базовый номер продукта
SISS10
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SISS10ADN-T1-GE3TR
SISS10ADN-T1-GE3CT
SISS10ADN-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHP14N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
SQ1431EH-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
SIHG33N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
