Производитель Номер продукта:
SISS27ADN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SISS27ADN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Подробное описание:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Инвентаризация:
8999 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920501
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SISS27ADN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen III
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
55 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4660 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
57W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8S
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8S
Базовый номер продукта
SISS27
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SISS27ADN-T1-GE3TR
SISS27ADN-T1-GE3DKR
SISS27ADN-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUD08P06-155L-T4E3
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
SIR826DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIS322DNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
