Производитель Номер продукта:
SIZ328DT-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIZ328DT-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
Подробное описание:
Mosfet Array 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Инвентаризация:
2850 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787790
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIZ328DT-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
325pF @ 10V, 600pF @ 10V
Мощность - Макс
2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Комплект устройства поставщика
8-Power33 (3x3)
Базовый номер продукта
SIZ328
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIZ328DT-T1-GE3DKR-DG
SIZ328DT-T1-GE3DKR
SIZ328DT-T1-GE3TR
742-SIZ328DT-T1-GE3TR
SIZ328DT-GE3
SIZ328DT-T1-GE3TR-DG
SIZ328DT-T1-GE3CT
742-SIZ328DT-T1-GE3CT
SIZ328DT-T1-GE3CT-DG
742-SIZ328DT-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7946DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8
A1F25M12W2-F1
SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
FDMS3602S-P
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
