Производитель Номер продукта:
SIZ342DT-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIZ342DT-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Инвентаризация:
18593 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787353
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIZ342DT-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
-
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
650pF @ 15V
Мощность - Макс
3.6W, 4.3W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Комплект устройства поставщика
8-Power33 (3x3)
Базовый номер продукта
SIZ342
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIZ342DT-T1-GE3CT
SIZ342DT-T1-GE3DKR
SIZ342DT-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIA936EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
SIA912DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
SQUN702E-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
