Производитель Номер продукта:
SQUN702E-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQUN702E-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE
Подробное описание:
Mosfet Array 40V, 200V 30A (Tc), 20A (Tc) 48W (Tc), 60W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank Die
Инвентаризация:
12787519
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQUN702E-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel, Common Drain
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V, 200V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc), 20A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V
Мощность - Макс
48W (Tc), 60W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount, Wettable Flank
Упаковка / Чехол
Die
Комплект устройства поставщика
Die
Базовый номер продукта
SQUN702
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SQUN702E-T1_GE3DKR
SQUN702E-T1_GE3CT
SQUN702E-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
SIZ980DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
SI9934BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC