Производитель Номер продукта:
SQ1470AEH-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ1470AEH-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Подробное описание:
N-Channel 30 V 1.7A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Инвентаризация:
270950 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916819
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ1470AEH-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.2 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
450 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SC-70-6
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
SQ1470
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQ1470AEH-T1-GE3
SQ1470AEH-T1_GE3CT
SQ1470AEH-T1_GE3TR
SQ1470AEH-T1_GE3DKR
SQ1470AEH-T1_GE3-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHG039N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 63A TO247AC
SIR698DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
SQJ418EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
