SQ3419AEEV-T1_BE3
Производитель Номер продукта:

SQ3419AEEV-T1_BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQ3419AEEV-T1_BE3-DG

Описание:

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Подробное описание:
P-Channel 40 V 6.9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Инвентаризация:

3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987308
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQ3419AEEV-T1_BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
61mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
975 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQ3419AEEV-T1_BE3DKR
742-SQ3419AEEV-T1_BE3TR
742-SQ3419AEEV-T1_BE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
rohm-semi

RS6P100BHTB1

NCH 100V 100A, HSOP8, POWER MOSF

diodes

DMT10H9M9SPSW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

goford-semiconductor

G3401L

P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70

diodes

DMP2900UT-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R