SQ4850CEY-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQ4850CEY-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQ4850CEY-T1_GE3-DG

Описание:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Подробное описание:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

7515 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12994041
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQ4850CEY-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1375 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
742-SQ4850CEY-T1_GE3CT
742-SQ4850CEY-T1_GE3TR
742-SQ4850CEY-T1_GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
utd-semiconductor

SI2300A

20V 6A [email protected],6A 1V@50A N CHA

nexperia

PMPB15ENEX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE

goford-semiconductor

G170P03D3

P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-