SQD40131EL_GE3
Производитель Номер продукта:

SQD40131EL_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQD40131EL_GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Подробное описание:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

2350 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786004
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQD40131EL_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
62W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SQD40131

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SQD40131EL_GE3CT
SQD40131EL_GE3TR
SQD40131EL_GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQJ454EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIUD406ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806

vishay-siliconix

SQS460EN-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIR404DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8