Производитель Номер продукта:
SQJ184EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ184EP-T1_GE3-DG
Описание:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Подробное описание:
N-Channel 80 V 118A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
2958 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12989653
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ184EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
118A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3478 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
234W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQJ184EP-T1_GE3DKR
742-SQJ184EP-T1_GE3TR
742-SQJ184EP-T1_GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHB080N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
IRF840HPBF
POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
TK065U65Z,RQ
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
