Производитель Номер продукта:
SQJ412EP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ412EP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 40 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
24798 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916561
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ412EP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5950 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJ412
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ412EP-T1_GE3DKR
SQJ412EP-T1-GE3TR-DG
SQJ412EP-T1-GE3-DG
SQJ412EP-T1-GE3CT-DG
SQJ412EP-T1-GE3
SQJ412EPT1GE3
SQJ412EP-T1_GE3TR
SQJ412EP-T1-GE3DKR
SQJ412EP-T1-GE3DKR-DG
SQJ412EP-T1-GE3TR
SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1_GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUD40N04-10A-E3
MOSFET N-CH 40V 40A TO252
SQ4435EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
