SQJ412EP-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQJ412EP-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQJ412EP-T1_GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 40 V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

24798 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916561
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQJ412EP-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5950 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJ412

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ412EP-T1_GE3DKR
SQJ412EP-T1-GE3TR-DG
SQJ412EP-T1-GE3-DG
SQJ412EP-T1-GE3CT-DG
SQJ412EP-T1-GE3
SQJ412EPT1GE3
SQJ412EP-T1_GE3TR
SQJ412EP-T1-GE3DKR
SQJ412EP-T1-GE3DKR-DG
SQJ412EP-T1-GE3TR
SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1_GE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SUD40N04-10A-E3

MOSFET N-CH 40V 40A TO252

vishay-siliconix

SQ4435EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC

vishay-siliconix

SIDR680DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK

vishay-siliconix

SIA438EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6