Производитель Номер продукта:
SQ4435EY-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ4435EY-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Подробное описание:
P-Channel 30 V 15A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
2352 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916594
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ4435EY-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2170 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SQ4435
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SQ4435EY-T1_GE3-DG
SQ4435EY-T1_GE3CT
SQ4435EY-T1_GE3DKR
SQ4435EY-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQ4435EY-T1_BE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер части
SQ4435EY-T1_BE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.48
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIDR680DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
SIA438EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6
SIR876ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
