IXFK32N50Q
Производитель Номер продукта:

IXFK32N50Q

Product Overview

Производитель:

IXYS

Номер детали:

IXFK32N50Q-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA
Подробное описание:
N-Channel 500 V 32A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Инвентаризация:

12916614
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IXFK32N50Q Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
HiPerFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3950 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
416W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-264AA (IXFK)
Упаковка / Чехол
TO-264-3, TO-264AA
Базовый номер продукта
IXFK32

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
25

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIHH26N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHP22N60EL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SI7405BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIS452DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8