Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIR876ADP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR876ADP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12916611
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR876ADP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1630 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR876
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIR876ADP-T1-GE3
HTML Спецификация
SIR876ADP-T1-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR876ADP-T1-GE3TR
SIR876ADP-T1-GE3DKR
SIR876ADP-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
CSD19533Q5A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Texas Instruments
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
40791
Номер части
CSD19533Q5A-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.52
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS3L045GNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1173
Номер части
RS3L045GNGZETB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STL40N10F7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5788
Номер части
STL40N10F7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.63
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STL90N10F7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2019
Номер части
STL90N10F7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.83
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1L145GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1003
Номер части
RS1L145GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.81
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFK32N50Q
MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA
SIHH26N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
SIHP22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SI7405BDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8