Производитель Номер продукта:
SQJ418EP-T1_BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ418EP-T1_BE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Подробное описание:
N-Channel 100 V 48A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
9000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977814
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ418EP-T1_BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1700 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQJ418EP-T1_BE3CT
742-SQJ418EP-T1_BE3DKR
742-SQJ418EP-T1_BE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ476EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
SI2333DDS-T1-BE3
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
SIHA21N60EF-GE3
N-CHANNEL 600V
