Производитель Номер продукта:
SQJ431AEP-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ431AEP-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Подробное описание:
P-Channel 200 V 9.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12965817
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ431AEP-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
305mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3700 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SQJ431
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJ431AEP-T1_GE3TR
SQJ431AEP-T1_GE3CT
SQJ431AEP-T1_GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQJ431AEP-T1_BE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5335
Номер части
SQJ431AEP-T1_BE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.61
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
UJ4C075044K3S
750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
