Производитель Номер продукта:
SQJ912AEP-T2_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ912AEP-T2_GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Подробное описание:
Mosfet Array 40V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Инвентаризация:
12965404
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ912AEP-T2_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1835pF @ 20V
Мощность - Макс
48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта
SQJ912
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQJ912AEP-T2_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQJ912DEP-T1_GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2875
Номер части
SQJ912DEP-T1_GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.36
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SH8KB7TB1
MOSFET 2N-CH 40V 13.5A 8SOP
QH8KC5TCR
MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
SQ1912EH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
