Производитель Номер продукта:
SQJ962EP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQJ962EP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Инвентаризация:
12918009
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
KQ34
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQJ962EP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
475pF @ 25V
Мощность - Макс
25W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта
SQJ962
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SQJ992EP-T1_GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2942
Номер части
SQJ992EP-T1_GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.48
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4816DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC
SQJB70EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
SI7501DN-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
