SQJA68EP-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQJA68EP-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQJA68EP-T1_GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
Подробное описание:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8L

Инвентаризация:

5545 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920492
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQJA68EP-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
92mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
280 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8L
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8L
Базовый номер продукта
SQJA68

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQJA68EP-T1_GE3CT
SQJA68EP-T1_GE3TR
SQJA68EP-T1_GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQ9407EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO

vishay-siliconix

SIR644DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHA25N60EFL-E3

MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220

vishay-siliconix

SISS27ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S