SQJA86EP-T1_BE3
Производитель Номер продукта:

SQJA86EP-T1_BE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQJA86EP-T1_BE3-DG

Описание:

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 80 V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Инвентаризация:

5539 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987470
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQJA86EP-T1_BE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8 Dual

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQJA86EP-T1_BE3TR
742-SQJA86EP-T1_BE3CT
742-SQJA86EP-T1_BE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NVTFWS040N10MCLTAG

PTNG 100V LL U8FL

vishay-siliconix

SIDR870ADP-T1-RE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

taiwan-semiconductor

TSM2N7002KCU

60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW

renesas-electronics-america

2SJ358-T1-AZ

2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET