SQM40031EL_GE3
Производитель Номер продукта:

SQM40031EL_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQM40031EL_GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
Подробное описание:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

28 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787331
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQM40031EL_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
800 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
39000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SQM40031

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
SQM40031EL_GE3CT
SQM40031EL_GE3DKR
SQM40031EL_GE3TR
SQM40031EL_GE3-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIHG065N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

vishay-siliconix

SIHP240N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

vishay-siliconix

SIHB21N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB

vishay-siliconix

SIHB120N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK