Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SQP120N06-3M5L_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQP120N06-3M5L_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12917147
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQP120N06-3M5L_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14700 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SQP120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SQP120N06-3M5L_GE3
HTML Спецификация
SQP120N06-3M5L_GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SQP120N06-3M5L_GE3DKR-DG
SQP120N06-3M5L_GE3CT-DG
SQP120N06-3M5L_GE3TR-DG
SQP120N06-3M5L_GE3TR
SQP120N06-3M5L_GE3DKRINACTIVE
SQP120N06-3M5L_GE3DKR
SQP120N06-3M5L_GE3CT
SQP120N06-3M5L_GE3TRINACTIVE
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMT6004SCT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
47
Номер части
DMT6004SCT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.75
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FDP032N08
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
924
Номер части
FDP032N08-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.65
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI9434BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
SIB452DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
SI3433CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
SQ3425EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP