SQS460CENW-T1_GE3
Производитель Номер продукта:

SQS460CENW-T1_GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SQS460CENW-T1_GE3-DG

Описание:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Подробное описание:
N-Channel 60 V 8A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W

Инвентаризация:

50 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12991422
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SQS460CENW-T1_GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
580 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
27W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8W
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8W
Базовый номер продукта
SQS460

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQS460CENW-T1_GE3CT
742-SQS460CENW-T1_GE3DKR
742-SQS460CENW-T1_GE3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
utd-semiconductor

SI2307A

30V 3A 1.25W 80MR@10V,3A 3V@250A

utd-semiconductor

AO3416A

20V 6.5A [email protected],6.5A 1.4W 1.1

utd-semiconductor

2N65G

SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFETS

utd-semiconductor

SI2305A

20V 4.2A [email protected],4.2A 1.38W 50