Производитель Номер продукта:
SQS660CENW-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQS660CENW-T1_GE3-DG
Описание:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Подробное описание:
N-Channel 60 V 18A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
Инвентаризация:
3967 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954772
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQS660CENW-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.2mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1950 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8W
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8W
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SQS660CENW-T1_GE3TR
742-SQS660CENW-T1_GE3CT
742-SQS660CENW-T1_GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SISS98DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
AUIRFR5505TRL
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
