Производитель Номер продукта:
SQSA80ENW-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQSA80ENW-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 18A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
18500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786450
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQSA80ENW-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1358 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SQSA80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQSA80ENW-T1_GE3CT
SQSA80ENW-T1_GE3DKR
SQSA80ENW-T1_GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIS439DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
SIR165DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
