Производитель Номер продукта:
SUD35N10-26P-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUD35N10-26P-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Подробное описание:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
1990 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966513
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUD35N10-26P-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SUD35
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SUD35N10-26P-GE3TR
SUD35N10-26P-GE3DKR
SUD35N10-26P-GE3CT
SUD35N1026PGE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SUD35N10-26P-BE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1835
Номер части
SUD35N10-26P-BE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.82
Тип замещения
Direct
Номер детали
SUD35N10-26P-E3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
310
Номер части
SUD35N10-26P-E3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.81
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
FDD86102
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9890
Номер части
FDD86102-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.66
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTQ48N65X2M
DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P
IXTH2N150
DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
DMTH8001STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10