Производитель Номер продукта:
SUM60030E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUM60030E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 120A TO263
Подробное описание:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12919490
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUM60030E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7910 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SUM60030
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
SUM60030E-GE3TR
SUM60030E-GE3CT
SUM60030E-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDB86135
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1600
Номер части
FDB86135-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.94
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7674DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SUM85N15-19-E3
MOSFET N-CH 150V 85A TO263
SUM75N15-18P-E3
MOSFET N-CH 150V 75A TO263