Производитель Номер продукта:
SUP70040E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUP70040E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
460 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12962514
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUP70040E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Bulk
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5100 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SUP70040
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF100B201
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2527
Номер части
IRF100B201-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.56
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFH60N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
SISS92DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
LSIC1MO120G0120
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
