VQ1001P-E3
Производитель Номер продукта:

VQ1001P-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

VQ1001P-E3-DG

Описание:

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP

Инвентаризация:

12787785
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

VQ1001P-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
4 N-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
830mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
110pF @ 15V
Мощность - Макс
2W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
-
Комплект устройства поставщика
14-DIP
Базовый номер продукта
VQ1001

Дополнительная информация

Стандартный пакет
25

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIZ328DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33

vishay-siliconix

SI7946DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8

stmicroelectronics

A1F25M12W2-F1

SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1

onsemi

FDMS3602S-P

MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN