Производитель Номер продукта:
VQ1001P-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
VQ1001P-E3-DG
Описание:
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP
Инвентаризация:
12787785
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
VQ1001P-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
4 N-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
830mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.75Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
110pF @ 15V
Мощность - Макс
2W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
-
Комплект устройства поставщика
14-DIP
Базовый номер продукта
VQ1001
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIZ328DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
SI7946DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8
A1F25M12W2-F1
SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
