Производитель Номер продукта:
SI3812DV-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI3812DV-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Подробное описание:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
13060452
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI3812DV-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
LITTLE FOOT®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
830mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
SI3812
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI2328DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
SQD50034E_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
