SIR626LDP-T1-RE3
Производитель Номер продукта:

SIR626LDP-T1-RE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIR626LDP-T1-RE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 186A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

6172 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13060499
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
R9mB
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIR626LDP-T1-RE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45.6A (Ta), 186A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5900 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR626

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR626LDP-T1-RE3CT
SIR626LDP-T1-RE3TR
SIR626LDP-T1-RE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay

SQD50034E_GE3

MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

vishay

SI4812BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO

vishay

SI4442DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

vishay

SQA470EJ-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70