Производитель Номер продукта:
SI4442DY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4442DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 15A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
13060790
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4442DY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.6W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
SI4442
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF7832TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
13071
Номер части
IRF7832TRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.57
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FDS8870
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2621
Номер части
FDS8870-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.66
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQA470EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
SUM110N04-05H-E3
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
SQA470EEJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
