SI6467BDQ-T1-E3
Производитель Номер продукта:

SI6467BDQ-T1-E3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI6467BDQ-T1-E3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
Подробное описание:
P-Channel 12 V 6.8A (Ta) Surface Mount 8-TSSOP

Инвентаризация:

13059578
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI6467BDQ-T1-E3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Cut Tape (CT)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
850mV @ 450µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
Функция полевых транзисторов
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSSOP
Упаковка / Чехол
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Базовый номер продукта
SI6467

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI6467BDQ-T1-E3DKR
SI6467BDQT1E3
SI6467BDQ-T1-E3CT
SI6467BDQ-T1-E3TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay

SI4348DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8A 8SO

vishay

SIR844DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

vishay

SQM100P10-19L_GE3

MOSFET P-CH 100V 93A TO263

vishay

SISH434DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK