Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIHG73N60AE-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG73N60AE-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13007874
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG73N60AE-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Упаковка
Tube
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
394 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5500 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
417W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG73
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIHG73N60AE-GE3
HTML Спецификация
SIHG73N60AE-GE3-DG
Альтернативные модели
Номер детали
STW69N65M5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
485
Номер части
STW69N65M5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.27
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCH041N60F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
365
Номер части
FCH041N60F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.37
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCH041N60E
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
130
Номер части
FCH041N60E-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
7.29
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPW60R045CPAFKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
83
Номер части
IPW60R045CPAFKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
12.42
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUD42N03-3M9P-GE3
MOSFET N-CH 30V 42A TO252
SIR640DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SUP90N15-18P-E3
MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
SUD06N10-225L-E3
MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252