Производитель Номер продукта:
SIR640DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR640DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
13007916
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR640DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4930 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR640
Технический паспорт и документы
Чертежи изделий
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIR640DPT1GE3
SIR640DP-T1-GE3TR
SIR640DP-T1-GE3CT
SIR640DP-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIR640ADP-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
SIR640ADP-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.73
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUP90N15-18P-E3
MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
SUD06N10-225L-E3
MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
SQ4483EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC