Производитель Номер продукта:
SIHP050N60E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP050N60E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 51A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
926 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13008667
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP050N60E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Упаковка
Tube
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
50mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3459 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
278W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP050
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Альтернативные модели
Номер детали
SIHG050N60E-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
494
Номер части
SIHG050N60E-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.98
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHB22N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
SQD40N06-14L_GE3
MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
SIS456DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
