Производитель Номер продукта:
SIR184DP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR184DP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 20.7A (Ta), 73A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
22806 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13007589
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR184DP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20.7A (Ta), 73A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1490 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR184
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIB408DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6
SQM70060EL_GE3
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
SIHG73N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
