Производитель Номер продукта:
SIR638DP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR638DP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
3065 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13006870
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR638DP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
204 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10500 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR638
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIRA12BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
SIHG22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
SIRA16DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
