Производитель Номер продукта:
SIR872ADP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR872ADP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 150 V 53.7A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
2916 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13008394
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR872ADP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
53.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
7.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1286 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR872
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SQJ148EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
SIHP050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
