Производитель Номер продукта:
SUM90P10-19L-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SUM90P10-19L-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Подробное описание:
P-Channel 100 V 90A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
5936 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13006327
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SUM90P10-19L-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
19mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
326 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11100 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
13.6W (Ta), 375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SUM90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHF35N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
SIHB6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
