Производитель Номер продукта:
DMP2900UFB-7B
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMP2900UFB-7B-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Подробное описание:
P-Channel 20 V 990mA (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Инвентаризация:
9889 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12993019
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMP2900UFB-7B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
990mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
49 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
550mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X1-DFN1006-3
Упаковка / Чехол
3-UFDFN
Базовый номер продукта
DMP2900
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
31-DMP2900UFB-7B
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT10H4M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMTH12H007SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
G2K8P15S
P-150V,-2.2A,RD(MAX)<310M@-10V,V
